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1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET
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 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 2021年來(lái)PV逆變器市場(chǎng)進(jìn)入高速發(fā)展期，對(duì)碳化硅功率器件的需求迅速增大。碳化硅二極管和MOSFET應(yīng)用在諸如BOOST電路等應(yīng)用中，因?yàn)榈谌雽?dǎo)體材料帶來(lái)的高頻特性，可以提高系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率，從而可以?xún)?yōu)化整個(gè)系統(tǒng)的能耗和體積。我司碳化硅 MOSFET為匹配PV、EV行業(yè)客戶(hù)需求，開(kāi)關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對(duì)標(biāo)行業(yè)最佳； 不僅適用于常規(guī)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，還滿(mǎn)足控制要求高的高壓高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、耐高溫特性，工作溫度（150°C)；單極性器件,開(kāi)關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應(yīng)用條件
2、采用先進(jìn)的減薄工藝，使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性，減小器件能量損耗
3、TO247AB，TO247-4L等多種封裝形式可選
4、通過(guò)行業(yè)嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證，包括大批量的HTRB、HTGB測(cè)試和HV-H3TRB測(cè)試
規(guī)格書(shū)

YJD212040NCFG1 YJD212040NCTG1

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